单层的Ni3Ge2O5(OH)4纳米片表现出了优于多层纳米片的OER性能，工业主要得益于少层、工业小尺寸的纳米片有更高的电化学活性面积以及更多的高活性(100)晶面的暴露。
已经在锂化的SiO中观察到各种硅酸锂，物联网生并且它们的表现取决于组成而完全不同。态战（d）SiOx/C和SiOx/C-CVD在500mAg-1下的循环性能。
（d、打响e）具有2,5和10wt％PFM粘合剂的SiO负极在200mAg-1下的循环性能。构建的多孔结构不仅提供用于体积膨胀调节的自由空间，西门雄争而且提供用于Li+扩散的有效通道，用于提高SiO的循环稳定性。成多（c）多孔SiOx的HR-TEM图像。
除了SiOC粉末样品之外，霸格还构建了用于LIBs的SiOC薄膜。工业（e）组装的d-SiO@vG/石墨//NCA18650全电池的数码照片。
1.2、物联网生SiO的锂化行为了解锂化/脱锂的机理对于进一步改善SiO的电化学性能是至关重要。
4.2.3、态战SiOC/金属杂化负极材料将金属引入SiOC以制备SiOC/金属杂化负极也被认为是实现电化学性能进一步改善的有效方法。打响相关成果以题为Colossalgraingrowthyieldssingle-crystalmetalfoilsbycontact-freeannealing发表在了Science上。
这一发现，西门雄争可以实现大规模的单晶金属箔片工业化生产。这些单晶金属箔片在表面科学、成多基础催化研究和各种其他应用领域中具有许多用途。
【成果简介】今日，霸格在韩国基础科学研究所RodneyS.Ruoff教授和Hyung-JoonShin教授（共同通讯作者）团队的带领下，霸格与蔚山国立科技研究所和成均馆大学合作，报道了一种无接触退火（CFA）策略，实现了通过商业多晶箔片普适性制备大面积单晶金属箔片。 【图文导读】图1通过CFA生产的单晶Cu（111）箔片图2通过CFA生产的单晶Pt（111）箔片图3 大面积单晶Cu的织构演变和晶粒长大图4从{112}111向{111}112方向转变的单晶fcc箔片文献链接：工业Colossalgraingrowthyieldssingle-crystalmetalfoilsbycontact-freeannealing（Science,2018,DOI：工业10.1126/science.aao3373）本文由材料人编辑部学术组木文韬翻译，材料牛整理编辑。